русский

Компания Vishay Intertechnology, Inc представляет три новых модели 500-В n-канальных силовых MOSFET-транзисторов с ультранизким значением максимального сопротивления открытого канала и улучшенным зарядом затвора в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).

 

Преимущества продукции:
* Низкое сопротивление открытого канала – всего 0,555 Ом при напряжении управления затвором 10 В – снижает потери на проводимость и энергопотребление
* Улучшенная характеристика заряда затвора – 48 нКл
* Низкое значение показателя «произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала» 26,64 Ом-нКл
* Выпускается в корпусах TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK
* Производится с использованием технологии Planar Cell компании Vishay 
* Соответствует требованиям директивы RoHS 2002/95/EC
* Тестирование 100% компонентов в режиме лавинного пробоя гарантирует надежную работу

 

Область применения:
* Коррекция коэффициента мощности в повышающих схемах, широтно-импульсная модуляция (ШИМ) полумостов и LLC-топологии в адаптерах питания ноутбуков, ЖК-дисплеях ПК и телевизоров, а также в бескорпусных (open-frame) источниках питания
Основные технические характеристики:
* Напряжение сток-исток 500 В
* Продолжительный ток стока 12 А
* Максимальное сопротивление открытого канала 0,555 Ом при 10 В
* Заряд затвора 48 нКл
* Корпус:
o TO-220 (SiHP12N50C-E3)
o TO-220 FULLPAK (SiHF12N50C-E3)
o D2PAK (SiHB12N50C-E3)

 

Перспективы:
Низкое значение максимального сопротивления открытого канала (0,555 Ом) n-канальных силовых MOSFET-транзисторов SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3 и SiHB12N50CE3 позволяет снизить потери на проводимость и энергопотребление в широком спектре приложений. Помимо низкого сопротивления открытого канала устройства отличаются низким зарядом затвора – 48 нКл. Произведение заряда затвора на сопротивление в открытом состоянии, ключевой показатель качества (FOM) для MOSFET-транзисторов, используемых в силовых преобразователях, составляет всего 26,64 Ом-нКл. Новые n-канальные MOSFET-транзисторы изготавливаются с применением технологии Vishay Planar Cell, которая обеспечивает минимальное сопротивление открытого канала и устойчивость к высоким импульсам энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Компоненты SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3 и SiHB12N50C-E3 по сравнению с предыдущим поколением MOSFET-транзисторов, отличаются более высокой скоростью и меньшими потерями переключения.