русский

Компания Vishay Intertechnology представляет первый, оптимизированный для высоковольтных устройств, силовой транзистор TrenchFET, изготовленный по новой технологии, обеспечивающей низкое сопротивление открытого канала.

 

Новый компонент ThunderFET™ SiR880DP – это первый 80-вольтовый силовой MOSFET с номинальным напряжением управления затвором 4,5 В в открытом состоянии. Новый 80-В компонент SiR880DP в корпусе PowerPAK® SO-8 имеет ультранизкие сопротивления открытого канала – 8,5 мОм при 4,5 В, 6,7 мОм при 7,5 В и 5,9 мОм при 10 В. Типичное значение произведения заряда затвора на сопротивление открытого канала, которое является важнейшим показателем качества (FOM, в единицах нКл-мОм) для MOSFET транзисторов в DC-DC преобразователях, составляет 161 при 4,5 В, 201 при 7,5 В и 240 при 10 В.

 

Преимущества продукции:
* Технология ThunderFET™, обеспечивающая низкое сопротивление открытого канала
* Самое низкое значение сопротивления открытого канала (8,5 мОм при 4,5 В)
* Пониженное энергопотребление
* Номинальное напряжение 4,5 В, позволяющее снизить потери энергии на управление затвором
* Возможность использования низковольтных/недорогих 5-В ИС ШИМ
* Низкое значение произведения сопротивления открытого канала на заряд затвора – 161 нКл-мОм при 4,5 В
* 100%-ное тестирование компонентов по таким параметрам, как сопротивление затвора (Rg) и устойчивость к импульсам тока в индуктивной нагрузке (UIS)
* Отсутствие галогенов согласно спецификациям IEC 61249-2-21 
* Соответствие требованиям директивы RoHS 2002/95/EC

 

Область применения:
* Коммутация первичной обмотки изолированных dc-dc преобразователей для телекоммуникационных приложений point-of-load (POL, «в точке нагрузки»).

 

Основные технические характеристики:
* Напряжение «сток-исток» 80 В
* Напряжение «затвор-исток» 20 В
* Корпус PowerPAK® SO-8
* Сопротивление открытого канала:
* 5,9 мОм при 10 В
* 6,7 мОм при 7,5 В
* 8,5 мОм при 4,5 В
* Типичное значение FOM (произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора):
* 240 нКл-мОм при 10 В
* 201 нКл-мОм при 7,5 В
* 161 нКл-мОм при 4,5 В

 

Перспективы:

Транзистор SiR880DP оптимизирован для коммутации первичной обмотки изолированных DC-DC преобразователей в телекоммуникационных point-of-load приложениях. Низкое сопротивление открытого канала позволяет уменьшить потребление энергии и повысить уровень экологической безопасности решений, особенно при малых нагрузках, например, в режиме ожидания. Благодаря номинальному напряжению в 4,5 В это устройство хорошо подходит для высокочастотных схем и обеспечивает возможность значительного снижения потерь на управление затвором в POL-приложениях и применения более низковольтных/недорогих 5-В ИС ШИМ. До сих пор 80-вольтовые MOSFET имели номинальное напряжение управления затвором в открытом состоянии 6 В или выше.